極端紫外線リソグラフィー (EUVL) 13.5nmの光源を使用する先進技術であり、22nmノードの有力候補です リソグラフィー 以降。 EUVリソグラフィー は現在、チップ製造現場で 0.33-NA ツールを使用したパイロット段階にあります。近い将来、量産化が期待されています。
EUVリソグラフィー ツールはプラズマ源を使用して 13.5 nm フォトンを生成します。
反射型マスクのパターンは、フォトレジストと呼ばれる感光性材料でコーティングされた基板に転写されます。パターニング技術は、全反射光学系構成で真空中で行われます。 32 nmの。
EUV光 プラズマからの光は、「照明光学系」と呼ばれる成形光学系に光を導くコレクタに収集されます。光はフォトマスクを照らします。照明光学系は、多層コーティングされた垂直入射ミラーと斜入射ミラーで構成されます。
EUV マスク は、6 インチ四方、厚さ 1/4 インチの低熱膨張材料で、多層反射コーティングと回路層にエッチングされた吸収層を備えています。 EUV マスクの反射像は、NA > 0.25 の XNUMX つ以上の多層ミラーで構成される投影光学系に入ります。
最終的な画像は、感光性エッチング レジストまたはフォトレジストでコーティングされたシリコン ウェーハ上に焦点を合わせます。このシステムは、低炭化水素、高真空環境で動作します。
直面する多くの課題の中には、光源、レジスト、マスクのインフラストラクチャ、および経済的なリソグラフィ ツールの開発などがあります。
レジスト材料は、高解像度、高感度、低ラインエッジラフネス (LER)、および低アウトガスを同時に備えていなければなりません。
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